[发明专利]半导体装置制造方法无效

专利信息
申请号: 201210027895.9 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN102637706A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 铃木翔;冈部刚士;板桥政次 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 高青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了半导体装置制造方法。从上方观察,第一波导构件形成在半导体基板的图像拾取区域和外围区域中。第一波导构件的位于外围区域中的部分被去除。然后执行平坦化步骤以平坦化第一波导构件的与半导体基板相反的一侧的表面。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种制造半导体装置的方法,该半导体装置包括具有第一区域和第二区域的半导体基板以及布置在第一区域和第二区域上的绝缘体,该方法包括:第一步骤,在绝缘体的第一部分中形成多个第一开口,其中,第一部分布置在第一区域上;第二步骤,在第一步骤之后,在所述多个第一开口中的每个开口中和在绝缘体的第二部分上形成第一构件,其中,第二部分布置在第二区域上;第三步骤,至少部分地去除第一构件的一部分,其中,所述第一构件的该部分布置在绝缘体的第二部分上;以及第四步骤,在第三步骤之后,平面化第一区域上方的露出表面和第二区域上方的露出表面。
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