[发明专利]半导体装置制造方法无效
申请号: | 201210027895.9 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN102637706A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 铃木翔;冈部刚士;板桥政次 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 高青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了半导体装置制造方法。从上方观察,第一波导构件形成在半导体基板的图像拾取区域和外围区域中。第一波导构件的位于外围区域中的部分被去除。然后执行平坦化步骤以平坦化第一波导构件的与半导体基板相反的一侧的表面。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体装置的方法,该半导体装置包括具有第一区域和第二区域的半导体基板以及布置在第一区域和第二区域上的绝缘体,该方法包括:第一步骤,在绝缘体的第一部分中形成多个第一开口,其中,第一部分布置在第一区域上;第二步骤,在第一步骤之后,在所述多个第一开口中的每个开口中和在绝缘体的第二部分上形成第一构件,其中,第二部分布置在第二区域上;第三步骤,至少部分地去除第一构件的一部分,其中,所述第一构件的该部分布置在绝缘体的第二部分上;以及第四步骤,在第三步骤之后,平面化第一区域上方的露出表面和第二区域上方的露出表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的