[发明专利]画素结构及其制作方法有效
申请号: | 201210029635.5 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN102543996A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 吴国伟;高金字 | 申请(专利权)人: | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种画素结构及其制作方法,其中画素结构包括基板、闸极线、资料线、半导体图案、非金属源极图案、非金属汲极图案以及画素电极。闸极线与资料线设置于基板上。半导体图案设置于闸极在线,且半导体图案在垂直投影方向上与闸极线的两相对的边缘重叠。非金属源极图案与非金属汲极图案设置在半导体图案上。非金属源极图案与非金属汲极图案分别设置于闸极线的两相对的边缘上,且非金属源极图案部分设置于资料线与闸极线之间。画素电极与非金属汲极图案电性连结。另外,还提供了画素结构制作方法,该方法利用欧姆接触层于闸极线的两相对的边缘上分别形成非金属源极图案与汲极图案,借以减少非透明电极图案所占的区域,进而达到提升画素结构的开口率的目的。 | ||
搜索关键词: | 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种画素结构,其特征在于,包括:一基板;一闸极线,设置于该基板上;一资料线,设置于该基板上;一半导体图案,设置于该闸极在线,且该半导体图案是于一垂直投影方向上与该闸极线的两相对的边缘重叠;一非金属源极图案与一非金属汲极图案,设置于该半导体图案上,其中该非金属源极图案与该非金属汲极图案是分别设置于该闸极线的两相对的该等边缘上,且该非金属源极图案是部分设置于该资料线与该闸极线之间以与该资料线电性连结;以及一画素电极,设置于该基板上,且该画素电极是与该非金属汲极图案电性连结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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