[发明专利]显示设备及其薄膜晶体管结构有效
| 申请号： | 201210034231.5 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102683420A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈超荣;江怡萱 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管结构包括基底、闸极层、闸极绝缘层、第一半导体岛、第二半导体岛与源极/汲极层。闸极层设置于基底上，具有第一闸极与第二闸极，且第一闸极与第二闸极电性连接。闸极绝缘层设置于基底上，且覆盖闸极层。第一半导体岛设置于闸极绝缘层上，且位于第一闸极的上方。第二半导体岛设置于闸极绝缘层上，且位于第二闸极的上方。源极/汲极层设置于第一半导体岛及第二半导体岛上。本发明还提供一种采用上述薄膜晶体管结构的显示设备。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 设备 及其 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管结构，其包括基底、闸极层、闸极绝缘层、以及源极/汲极层，该闸极层设置于该基底上，具有一第一闸极与一第二闸极，该第一闸极与该第二闸极电性连接，该闸极绝缘层设置于该基底上，且覆盖该闸极层，其特征在于：该薄膜晶体管结构还包括第一半导体岛以及第二半导体岛，该第一半导体岛设置于该闸极绝缘层上，位于该第一闸极的上方，该第二半导体岛设置于该闸极绝缘层上，位于该第二闸极的上方，该源极/汲极层设置于该第一半导体岛及该第二半导体岛上。
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