[发明专利]锚定的导电通孔及形成方法有效

专利信息
申请号: 201210037938.1 申请日: 2012-02-17
公开(公告)号: CN102646664B 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: T·S·尤林 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/768
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及锚定的导电通孔及形成方法,还涉及一种导电通孔和形成方法。该导电通孔包括位于导电接触结构(26,28)与位于该导电接触结构上方的电介质层(64)的悬突部分(70,72)之间的部分。在一个实施例中,通过在该导电接触结构上形成底切层,然后在该导电接触结构和底切层上形成电介质层,而形成该悬突部分。在该电介质层上形成开口(66,68),并且通过该开口去除底切层的材料,以产生电介质层的悬突部分。然后,在该悬突部分下面和在该开口内,形成导电通孔的导电材料(74,76)。
搜索关键词: 锚定 导电 形成 方法
【主权项】:
一种用于形成导电通孔的方法,包括:形成具有导电材料的表面的导电接触结构;在所述导电接触结构上形成底切层,所述底切层是与所述导电材料的表面不同的材料;在所述底切层上和所述导电接触结构上形成电介质层,所述底切层位于所述电介质层与所述导电接触结构之间;在所述导电接触结构上的所述电介质层中形成开口;通过所述电介质层中的开口去除所述底切层的材料,其中通过所述电介质层中的开口露出所述导电接触结构的表面,其中通过去除所述底切层的材料形成的开口比所述电介质层中的开口宽,使得所述电介质层具有在所述导电接触结构上方的与所述电介质层中的开口相邻的悬突部分;以及以导电填充材料填充通过所述去除所述底切材料形成的开口并且至少部分地填充所述电介质层中的开口,其中所述填充形成位于所述电介质层的所述悬突部分与所述导电接触结构之间的导电填充材料,其中:填充所述开口被执行使得所述导电填充材料具有内部张应力以提供对所述悬突部分的向上压力,并且所述至少部分填充所述开口包括,以所述导电填充材料填充所述开口至所述电介质层的顶表面上方,以及在与所述电介质层的开口相邻的所述电介质层的顶表面上的区域中形成导电填充材料,其中所述导电填充材料具有内部张应力,以提供对处于与所述电介质层的开口相邻的所述区域处的所述电介质层的顶表面的向下压力。
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