[发明专利]引入了局部应力的LDMOS器件有效
| 申请号： | 201210038047.8 | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN102544106A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王向展;郑良晨;曾庆平;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 610054 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及LDMOS器件。本发明公开了一种利用应力提高器件性能，并降低其不良影响的引入了局部应力的LDMOS器件。本发明的技术方案是，引入了局部应力的LDMOS器件，包括体衬底，在衬底上形成相互邻接的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别形成源区和漏区，在源区和漂移区之间的阱区表面生长栅氧化层，在栅氧化层上生长多晶硅栅极，在源区和/或栅极表面覆盖薄膜，利用所述薄膜具有的本征应力，在LDMOS器件的沟道中引入应力。本发明基本上不会影响器件漂移区的带隙EG，而对器件的源漏导通电阻Ron的降低却有比较明显的作用。本发明充分发挥了应力对器件性能的积极作用，降低了应力对器件性能的消极影响，特别适合制造功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 引入 局部 应力 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
引入了局部应力的LDMOS器件，包括体衬底，在衬底上形成相互邻接的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别形成源区和漏区，在源区和漂移区之间的阱区表面生长栅氧化层，在栅氧化层上生长多晶硅栅极，其特征在于，在源区和/或栅极表面覆盖薄膜，利用所述薄膜具有的本征应力，在LDMOS器件的沟道中引入应力。
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