[发明专利]RC触发ESD保护器件有效
| 申请号： | 201210040054.1 | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN102882198A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 刘燕霖;陈国基;杨子毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种RC触发ESD保护器件包括：放电晶体管、驱动电路、以及触发电路。触发电路包括与多个PMOS晶体管并联连接的多个本征NMOS晶体管，该多个PMOS晶体管作为电阻器运行。多个本征NMOS晶体管的相对较小的电阻有助于保持稳定的RC时间常数值，从而使得ESD保护器件可以在上电操作期间避免泄露电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | rc 触发 esd 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：本征n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，连接在第一电压电势和电容器的第一端之间；电阻元件，连接在所述第一电压电势和所述电容器的第一端之间；以及所述电容器，具有连接至第二电压电势的第二端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210040054.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
