[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210040502.8 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103296080A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 朱建文;陈永初;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、第一源/漏极区、第二源/漏极区、第一叠层结构与第二叠层结构。第一源/漏极区形成于衬底中。第二源/漏极区形成于衬底中。第一叠层结构位于第一源/漏极区与第二源/漏极区之间的衬底上。第一叠层结构包括第一介电层与第一导电层。第一导电层位于第一介电层上。第二叠层结构位于第一叠层结构上。第二叠层结构包括第二介电层与第二导电层。第二导电层位于第二介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一衬底；一第一源/漏极区，形成于该衬底中；一第二源/漏极区，形成于该衬底中；一第一叠层结构，位于该第一源/漏极区与该第二源/漏极区之间的该衬底上，其中该第一叠层结构包括一第一介电层与一第一导电层，该第一导电层位于该第一介电层上；以及一第二叠层结构，位于该第一叠层结构上，其中该第二叠层结构包括一第二介电层与一第二导电层，该第二导电层位于该第二介电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210040502.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
