[发明专利]具有银含量可控的焊料接合区域的半导体封装件在审
| 申请号： | 201210040864.7 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066050A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 郑明达;黄贵伟;蔡钰芃;陈正庭;林修任;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件，包括：工件，具有导电迹线；和芯片，具有导电柱。芯片附接至工件，并且焊料接合区域形成在导电柱和导电迹线之间。焊料层中的银(Ag)含量在0.5重量百分比至1.8重量百分比之间。本发明还提供了一种具有银含量可控的焊料接合区域的半导体封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 含量 可控 焊料 接合 区域 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：工件，包括导电迹线；以及芯片，包括凸块结构，其中，所述芯片附接至所述工件，并且所述凸块结构电连接至所述导电迹线，从而形成迹线上凸块(BOT)互连结构；以及其中，所述BOT互连结构包括焊料区域，并且所述焊料区域中的银(Ag)含量不超过1.8重量百分比(wt％)。
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