[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210043469.4 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103296067A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林镇元;林正基;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、掺杂条纹与顶掺杂区；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的第二导电型；掺杂条纹形成于第一掺杂区中，并具有第二导电型；顶掺杂区形成于掺杂条纹中，并具有第一导电型；顶掺杂区具有相对的第一侧边与第二侧边；掺杂条纹是延伸超过第一侧边或第二侧边。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，形成于该第一掺杂区中，并具有相对于该第一导电型的一第二导电型；一掺杂条纹，形成于该第一掺杂区中，并具有该第二导电型；以及一顶掺杂区，形成于该掺杂条纹中，并具有该第一导电型，其中该顶掺杂区具有相对的一第一侧边与一第二侧边，该掺杂条纹是延伸超过该第一侧边或该第二侧边。
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