[发明专利]具有光电池的半导体结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210044048.3 申请日: 2012-02-24
公开(公告)号: CN102544377A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 杨俊洋 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/48;H01G9/20;H01G9/26
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 施浩
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具有光电池的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括光电池及半导体元件。光电池包括相对配置的第一载体与第二载体、第一导电孔、第二导电孔及数个电池单元。第一导电孔及第二导电孔形成于第一载体与第二载体之一中。电池单元形成于第一载体与第二载体之间。半导体元件通过第一导电孔及第二导电孔电性连接于电池单元。
搜索关键词: 具有 光电池 半导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体结构,包括:一光电池,包括:相对配置的一第一载体与一第二载体;一第一导电孔及一第二导电孔,形成于该第一载体与该第二载体之一中;及多个电池单元,形成于该第一载体与该第二载体之间;以及一半导体元件,通过该第一导电孔及该第二导电孔电性连接于该些电池单元。
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