[发明专利]具有光电池的半导体结构及其制造方法无效
申请号: | 201210044048.3 | 申请日: | 2012-02-24 |
公开(公告)号: | CN102544377A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 杨俊洋 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48;H01G9/20;H01G9/26 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有光电池的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括光电池及半导体元件。光电池包括相对配置的第一载体与第二载体、第一导电孔、第二导电孔及数个电池单元。第一导电孔及第二导电孔形成于第一载体与第二载体之一中。电池单元形成于第一载体与第二载体之间。半导体元件通过第一导电孔及第二导电孔电性连接于电池单元。 | ||
搜索关键词: | 具有 光电池 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,包括:一光电池,包括:相对配置的一第一载体与一第二载体;一第一导电孔及一第二导电孔,形成于该第一载体与该第二载体之一中;及多个电池单元,形成于该第一载体与该第二载体之间;以及一半导体元件,通过该第一导电孔及该第二导电孔电性连接于该些电池单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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