[发明专利]基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法无效
| 申请号： | 201210045455.6 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103295951A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 卞剑涛;狄增峰;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法。根据本发明的制备方法，首先制备全局混晶SOI结构；接着，在所述全局混晶SOI结构上形成外延图形窗口；接着，在所述外延图形窗口处外延硅，并使外延硅后的图形化混晶SOI结构表面平坦化；随后再在外延硅后的全局混晶SOI结构上形成隔离器件的隔离结构；最后，在具有隔离结构的图形化混晶SOI结构的（110）衬底部分制备P型高压器件结构、在（100）衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构，由此可有效提高空穴迁移率，改善P型高压器件的Rdson，提高器件性能，有利于进一步提高集成度、降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 混合 soi 器件 系统 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于混合晶向SOI的器件系统制备方法，其特征在于，所述基于混合晶向SOI的器件系统制备方法至少包括：1)制备(110)/100)全局混晶SOI结构；2)在所述全局混晶SOI结构上形成100)外延图形窗口；3)在所述100)外延图形窗口处选择性外延生长100)硅，并使外延100)硅后的图形化混晶SOI结构表面平坦化；4)在外延100)硅后的结构上形成隔离器件的隔离结构；5)在具有隔离结构的图形化混晶SOI结构的(110)衬底部分制备P型高压器件结构、在100)衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
