[发明专利]一种高擦写速度的SONOS单元晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210047352.3 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569408A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 葛洪涛;黄晓橹;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种利用应变硅技术提高SONOS晶体管的擦写速度的方法，其特征在于，在形成若干浅沟槽隔离区的P型衬底上制作完栅极的侧墙后，还包括如下步骤：步骤1，沉淀阻挡层覆盖所述晶体管；步骤2，刻蚀去除覆盖在NMOS区域上方的阻挡层使所述NMOS区域暴露；步骤3，在所述栅极两侧与浅沟槽隔离区之间的P型衬底上进行碳离子注入；步骤4，进行高温退火，使所述碳化硅对沟道产生张应力。本发明使硅的能带发生分裂，分裂的结果导致沿沟道方向的电子有效质量减小，同时电子的能谷散射概率也降低，使SONOS单元晶体管的电子迁移率显著提高，从而改善热电子注入机制的SONOS编程效率及速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 擦写 速度 sonos 单元 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高擦写速度的SONOS单元晶体管，包括若干成对PMOS和NMOS，所述NMOS包括：具有若干成对有源区的P型硅衬底，每一对有源区之间形成有沟道；栅极，位于所述沟道上方，所述栅极的侧墙之间具有氧化硅‑氮化硅‑氧化硅层，所述氧化硅‑氮化硅‑氧化硅层上为多晶硅；所述成对有源区的外围的两侧分别设置有浅沟槽隔离区；其特征在于，所述NMOS的有源区成对有源区包括碳化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210047352.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种图像叠加处理方法及装置
- 下一篇：模拟电磁带电、失电变化的装置
- 同类专利
- 专利分类
