[发明专利]SRAM单元的制备法

摘要

本发明提供了一种SRAM单元的制备方法，以及一种减小SRAM单元漏电流的方法，在此基础上，本发明还提供了一种上述方法制备的SRAM单元。在侧墙薄膜沉积之前，先沉积一层特殊接触孔刻蚀停止层，然后再进行通常的侧墙薄膜沉积，使得形成侧墙后，在侧墙底部以及侧墙与多晶硅栅侧壁之间仍然保留有特殊接触孔刻蚀停止层。在之后进行的接触孔刻蚀工艺过程中，由于有特殊接触孔刻蚀停止层的存在，共享接触孔不会直接停在轻掺杂区域之上，从而减小了SRAM的漏电。

主权项

一种SRAM单元的制备方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供衬底，衬底中包括有源区、浅沟槽和掺杂区，浅沟槽与掺杂区不接触；在衬底上形成有多晶硅栅极；掺杂区包括重掺杂区和靠近多晶硅栅极的轻掺杂区；在多晶硅栅极的至少靠近掺杂区的一侧沉积一层第一刻蚀阻挡层（作为沉积接触孔刻蚀停止层），使所述第一刻蚀阻挡层覆盖轻掺杂区上方；多晶硅栅极两侧形成侧墙；步骤2，在衬底、多晶硅栅极以及侧墙上方依次沉积第二刻蚀阻挡层和层间介质；步骤3，在多晶硅栅极和掺杂区上方进行接触孔刻蚀工艺，形成共享接触孔，刻蚀过程中，第二刻蚀阻挡层与第一刻蚀阻挡层刻蚀速度比大于1（高第二刻蚀阻挡层/第一刻蚀阻挡层选择比），使共享接触孔刻蚀停止在第一刻蚀阻挡层、多晶硅栅极、和掺杂区上表面。