[发明专利]制作具有埋入式位线与埋入式字线的内存装置的方法有效
| 申请号： | 201210047933.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102881658A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王国镇 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作具有埋入式位线与埋入式字线的内存装置的方法，其提供一半导体衬底，其上具有多个线形有源区域与位于所述线形有源区域之间的线形沟槽隔离区域，所述线形有源区域以及线形沟槽隔离区域沿着一第一方向交替排列；在所述半导体衬底中形成沿着一第二方向延伸的埋入式字线，所述埋入式字线与所述线形有源区域及所述线形沟槽隔离区域相交，所述第一方向不垂直于所述第二方向；在所述半导体衬底中形成沿着一第三方向延伸的埋入式位线，所述第三方向垂直于所述第二方向；以及于所述埋入式位线之间的储存节点位置上形成储存节点。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 具有 埋入 式位线 式字线 内存 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种内存阵列的制作方法，其特征在于，包含：提供一半导体衬底，其上具有多个线形有源区域以及位于所述线形有源区域之间的线形沟槽隔离区域，其中所述线形有源区域以及所述线形沟槽隔离区域沿着一第一方向交替排列；在所述半导体衬底中形成多条沿着一第二方向延伸的埋入式字线，所述埋入式字线与所述线形有源区域及所述线形沟槽隔离区域相交，其中所述第一方向不垂直于所述第二方向；在所述半导体衬底中形成多条沿着一第三方向延伸的埋入式位线，其中第三方向垂直于第二方向；以及于所述埋入式位线之间的多个储存节点位置上形成多个储存节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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