[发明专利]纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法无效
| 申请号： | 201210048569.6 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103295636A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王琴;杨潇楠;王永;张满红;霍宗亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列由多个纳米晶浮栅存储器组成，并且还包括多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，每个存储单元均连接一条位线和一条字线，且所述多条位线与所述多条字线相互垂直排列；当对所选定存储单元进行编程时，将所选定存储单元连接的位线之前的第二条位线接地；对所选定存储单元连接的位线之前的第一条位线施加低电压Vl；对所选定存储单元连接的位线施加高电压Vh。本发明在电子完成第一次加速以后，还可进行第二次加速，由此，可以获得更高的能量进行编程，从而提高编程效率，增加了存储窗口，让更多的电子到达存储介质里面。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶浮栅 存储器 阵列 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列包括多个纳米晶浮栅存储器、多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，其中，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，且每个存储单元连接一条位线和一条字线，所述多条位线与所述多条字线相互垂直排列，其特征在于：当对所选定存储单元进行编程时，该方法包括如下步骤：将与所选定存储单元连接的位线之前的第二条位线接地；对与所选定存储单元连接的位线之前的第一条位线施加电压Vl；对与所选定存储单元连接的位线施加电压Vh；所述Vl小于Vh。
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