[发明专利]半导体器件的制造方法和计算机存储介质

摘要

本发明提供半导体器件的制造方法和计算机存储介质。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其蚀刻基板形成台阶状结构，上述基板具有：多层膜，交替叠层有第一介电常数的第一膜和与第一介电常数不同的第二介电常数的第二膜；和位于多层膜的上层作为蚀刻掩模发挥作用的光致抗蚀剂层，该半导体器件的制造方法，包括：第一工序，以光致抗蚀剂层为掩模，对第一膜进行等离子体蚀刻；第二工序，将光致抗蚀剂层暴露于含氢等离子体；第三工序，修整光致抗蚀剂层；和第四工序：以通过第三工序修整过的光致抗蚀剂层和在第一工序中进行了等离子体蚀刻的第一膜为掩模，蚀刻第二膜，通过反复进行第一工序至第四工序，使多层膜为台阶状结构。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其蚀刻基板形成台阶状结构，所述基板具有：多层膜，交替叠层有具有第一介电常数的第一膜和具有与第一介电常数不同的第二介电常数的第二膜；和位于所述多层膜的上层作为蚀刻掩模发挥作用的光致抗蚀剂层，所述半导体器件的制造方法的特征在于，包括：第一工序，以所述光致抗蚀剂层为掩模，对所述第一膜进行等离子体蚀刻；第二工序，将所述光致抗蚀剂层暴露于含氢等离子体；第三工序，修整所述光致抗蚀剂层；和第四工序，以通过所述第三工序修整过的光致抗蚀剂层和在所述第一工序中进行了等离子体蚀刻的所述第一膜为掩模，蚀刻所述第二膜，通过反复进行所述第一工序至所述第四工序，使所述多层膜为台阶状结构。