[发明专利]锗基赝砷化镓衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201210057303.8 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102543693A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周旭亮;于红艳;潘教青;朱洪亮;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种锗基赝砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：清洗锗衬底，放入MOCVD设备的反应室；步骤2：采用700℃高温处理锗衬底；步骤3：采用MOCVD的方法，在锗衬底上外延生长缓冲层；步骤4：在缓冲层上，生长赝GaAs层，完成材料的制备。其是通过MOCVD外延技术并结合改变原料的低温缓冲层外延与锗匹配的赝砷化镓层，抑制了GaAs/Si界面失配位错和APD向外延层的延伸；低生长速率的控制可以有效地控制缺陷，从而得到高质量的锗基赝砷化镓材料。 | ||
| 搜索关键词： | 锗基赝砷化镓 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗基赝砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：清洗锗衬底，放入MOCVD设备的反应室；步骤2：采用700℃高温处理锗衬底；步骤3：采用MOCVD的方法，在锗衬底上外延生长缓冲层；步骤4：在缓冲层上，生长赝GaAs层，完成材料的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210057303.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
