[发明专利]显示器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210057909.1 申请日: 2006-10-13
公开(公告)号: CN102610605A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 木村肇 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姜冰;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及显示器件及其制造方法。本发明的目的在于如下:当在像素电极上形成金属膜并为层叠结构时,使用一个抗蚀剂掩模形成像素电极及金属膜。本发明的技术方案在于如下:层叠用作像素电极的导电膜和金属膜;使用具有半透光部分的曝光掩模在金属膜上形成具有膜厚度厚的区域和膜厚度比该区域薄的区域的抗蚀剂图案;以及使用抗蚀剂图案形成像素电极和接触于该像素电极的一部分的金属膜。根据以上,可以使用一个抗蚀剂掩模形成像素电极及金属膜。
搜索关键词: 显示 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种显示器件,包括:衬底之上的栅电极;所述栅电极之上的栅极绝缘膜;所述栅极绝缘膜之上的岛状半导体膜;所述岛状半导体膜之上的导电层,所述导电层电连接到所述岛状半导体膜;所述栅极绝缘膜之上的透明导电膜;以及所述透明导电膜之上并与所述透明导电膜接触的金属膜,所述金属膜电连接到所述导电层,其中所述透明导电膜是边缘场开关模式液晶显示器件的像素电极。
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