[发明专利]CMOS工艺中的图案化步骤的选择性偏置补偿有效
| 申请号： | 201210058766.6 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103177937A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 谢铭峰;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括形成光刻胶图案，以及对光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，光刻胶图案的第二部分未暴露于光。将光酸反应材料涂布在光刻胶图案的第一部分和第二部分上。该光酸反应材料与光刻胶图案反应形成膜。然后，去除光酸反应材料的未与光刻胶图案反应的部分，并且使膜留在光刻胶图案上。本发明提供了CMOS工艺中的图案化步骤的选择性偏置补偿。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 中的 图案 步骤 选择性 偏置 补偿 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成光刻胶图案；对所述光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，所述光刻胶图案的第二部分未暴露于光；将光酸反应材料涂布在所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分上；所述光酸反应材料与所述光刻胶图案反应形成膜；以及去除所述光酸反应材料的未与所述光刻胶图案反应的部分，其中，使所述膜留在所述光刻胶图案上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
