[发明专利]一种MEMS和IC单片集成方法有效
| 申请号： | 201210060342.3 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102583224A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 赵丹淇;张大成;林琛;何军;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems ic 单片 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS和IC单片集成方法，包括以下步骤：1)在基片上采用IC工艺在IC区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；2)采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；3)刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层；4)刻蚀IC区域的氧化硅保护层形成引线孔，然后淀积并图形化金属形成金属互连；5)用光刻胶保护MEMS结构以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构；6)去除光刻胶，制得单片集成芯片。
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