[发明专利]激光器阵列、激光器装置及光学传输装置和信息处理装置有效
申请号: | 201210061277.6 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102891434B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 粂井正也 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 顾红霞,龙涛峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列、垂直腔面发射激光器装置、光学传输装置及信息处理装置。该激光器阵列包括基板,其上具有元件形成区域;多个柱状结构,其形成在基板上的元件形成区域中;以及至少一根金属配线,其形成为与多个柱状结构相邻。多个柱状结构中的每一个包括第一导电类型的下部半导体反射器、第二导电类型的上部半导体反射器、以及形成在该下部半导体反射器和该上部半导体反射器之间的活性区域。每个柱状结构沿着与基板垂直的方向发射光。上述至少一根金属配线具有变形施加部分,该变形施加部分相对于上述多个柱状结构沿着同一方向延伸。 | ||
搜索关键词: | 激光器 阵列 装置 光学 传输 信息处理 | ||
【主权项】:
一种垂直腔面发射激光器阵列,包括:基板,其上具有元件形成区域;多个柱状结构,其形成在所述基板上的所述元件形成区域中;至少一根金属配线,其形成为与所述多个柱状结构相邻;以及与所述多个柱状结构对应的多个电极片,其中,所述多个柱状结构中的每一个包括第一导电类型的下部半导体反射器、第二导电类型的上部半导体反射器、以及形成在所述下部半导体反射器和所述上部半导体反射器之间的活性区域,并且所述柱状结构沿着与所述基板垂直的方向发射光,所述至少一根金属配线具有变形施加部分,所述变形施加部分相对于所述多个柱状结构沿着同一方向延伸,所述至少一根金属配线包括将所述多个柱状结构和所述多个电极片彼此连接的多根金属配线,所述多根金属配线中的每一根具有所述变形施加部分,所述多个电极片设置在所述垂直腔面发射激光器阵列的第一端和与所述第一端相反的第二端,所述多个柱状结构包括位于所述多个柱状结构的中部的第一柱状结构和第二柱状结构,所述第一柱状结构设置为靠近所述第一端,而所述第二柱状结构设置为靠近所述第二端,并且所述多根金属配线包括与所述第一柱状结构连接并朝向所述第二端延伸的第一金属配线以及与所述第二柱状结构连接并朝向所述第一端延伸的第二金属配线,所述第一金属配线和所述第二金属配线各自具有所述变形施加部分。
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