[发明专利]化学气相沉积机台在审
申请号: | 201210061942.1 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102560428A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 胡可绿;解毅;何雅彬;朱义党;郑修锋;王华钧;忻圣波 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种化学气相沉积机台,包括标准机械界面、前端部分、机械手臂、缓存处、缓冲区和沉积腔体,其中所述标准机械界面是晶片进入机台的开始位置,所述前端部分一端连接标准机械界面另一端连接缓存处,所述前端部分设有风机过滤机组,所述风机过滤机组包括风扇,所述风扇过滤前端部分的空气,所述缓冲区连接所述缓存处,所述沉积腔体与缓冲区相连接,所述机械手臂用于传输标准机械界面、缓存处和沉积腔体之间的晶片,所述风机过滤机组还包括一个用于检测风扇工作状态的检测装置。本发明在前端部分中的风机过滤机组上增加一个用于检测风扇工作状态的检测装置,避免因风扇不工作后造成的晶片污染,降低低效产品。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 机台 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积机台,包括标准机械界面、前端部分、机械手臂、缓存处、缓冲区和沉积腔体,其中所述标准机械界面是晶片进入机台的开始位置,所述前端部分一端连接标准机械界面另一端连接缓存处,所述前端部分设有风机过滤机组,所述风机过滤机组包括风扇,所述风扇过滤前端部分的空气,所述缓冲区连接所述缓存处,所述沉积腔体与缓冲区相连接,所述机械手臂用于传输标准机械界面、缓存处和沉积腔体之间的晶片,其特征在于:所述风机过滤机组还包括一个用于检测风扇工作状态的检测装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的