[发明专利]半导体元件及其制造方法及半导体封装结构有效
| 申请号： | 201210064732.8 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102543926A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郑斌宏;洪志斌 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种半导体元件及其制造方法及半导体封装结构。该半导体元件包括一半导体基板、至少一金属柱、一第一聚合物层及一第二聚合物层。该第一聚合物层包覆这些该金属柱的下半部，因此可降低这些该金属柱断裂及倒塌的风险。此外，该第一聚合物层及该第二聚合物层分别位于该半导体基板的二侧，可避免该半导体基板发生翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面；一布线层，位于该半导体基板的第一表面；至少一导通柱，贯穿该半导体基板，且电性连接至该布线层；一钝化层，覆盖该布线层且显露部分该布线层；至少一金属柱，邻接该半导体基板的第一表面，且电性连接至该显露的部分该布线层；一第一聚合物层，覆盖该钝化层，且该至少一金属柱凸出于该第一聚合物层之外；及一第二聚合物层，邻接该半导体基板的第二表面。
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