[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210067195.2 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102931236A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 尾本诚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备在半导体基板上形成的多晶硅膜和在上述多晶硅膜上形成的金属硅化物膜。实施方式的半导体装置具备在上述硅化物膜上形成的上述金属氧化膜和在上述氧化膜上形成的包含钨或钼的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：在半导体基板上形成的多晶硅膜；在上述多晶硅膜上形成的金属的硅化物膜；在上述硅化物膜上形成的上述金属的氧化膜；和在上述氧化膜上形成的包含钨或钼的膜。
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