[发明专利]一种发光器件有效
| 申请号： | 201210067680.X | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102593298A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 潘小和;陈杰 | 申请（专利权）人： | 矽光光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 周荣芳 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光器件，其包含具有一个以（100）晶面作为上表面的硅基底。在该上表面具有一个凹槽，凹槽的一部分被限定为硅基底的（111）晶面。该发光器件包含位于硅基底的其中一个（111）晶面上的GaN晶体结构；该GaN晶体结构包含一个非极性平面，及沿该非极性平面设置的第一表面。该发光器件还包含发光层，其位于GaN晶体结构的第一表面上。发光层具有至少一个含GaN的量子阱。该发光器件利用非极性和半极性GaN晶体表面作为量子阱基底，提高了发光效率和光发射强度，且发射光高度极化，并能为GaN单晶体提供非常低的缺陷密度，以提高器件的可靠性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，其特征在于，包含：一个具有（111）晶面的硅基底；一个位于所述硅基底的（111）晶面上的GaN晶体结构，所述GaN晶体结构具有一个非极性平面，和平行于该非极性平面的一个第一表面；以及，位于所述第一表面上的若干个发光层，所述发光层具有至少一个包含GaN的量子阱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽光光电科技（上海）有限公司，未经矽光光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210067680.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
