[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210068013.3 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102682837A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 守屋芳隆;安部宽子;汤川干央;野村亮二 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/22;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件，及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；以及提供在存储元件上的传感器部分，其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且传感器部分电连接到第二晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：元件形成层，包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；以及提供在衬底上的传感器部分，其中存储元件具有包括第一导电层、第一有机化合物层和第二导电层的分层结构，其中第一导电层电连接到第一晶体管，其中传感器部分电连接到第二晶体管，其中传感器部分具有包括第三导电层、第二有机化合物层、和第四导电层的分层结构，并且第一导电层和第三导电层处在相同的层中。
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