[发明专利]发光器件以及发光器件封装有效
| 申请号： | 201210068656.8 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102810615B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金载焄 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件以及发光器件封装。该发光器件包括第一导电类型半导体层；有源层，布置在所述第一导电类型半导体层上；隧道结层，包括布置在所述有源层上的第二导电类型氮化物半导体层与第一导电类型氮化物半导体层，其中所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层以PN结的方式联结；第一电极，布置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，布置在所述第一导电类型氮化物半导体层上，其中所述第二电极的一部分穿过所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触。利用本发明的发光器件及发光器件封装，能够提高反射系数以及光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 以及 封装 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层；有源层，布置在所述第一导电类型半导体层上；隧道结层，包括布置在所述有源层上的第二导电类型氮化物半导体层与第一导电类型氮化物半导体层，其中所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层以PN结的方式联结；第一电极，布置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，布置在所述隧道结层的所述第一导电类型氮化物半导体层上，其中所述第二电极的一部分穿过所述隧道结层的所述第一导电类型氮化物半导体层与所述隧道结层的所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触；其中所述第二电极包括：第一接触部，与所述隧道结层的所述第一导电类型氮化物半导体层的上表面以及所述第一导电类型氮化物半导体层的贯穿部分欧姆接触；以及第二接触部，与所述隧道结层的所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触。
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