[发明专利]一种双多晶电容和MOS管的集成结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种双多晶电容和MOS管的集成结构及其制造方法，涉及半导体集成器件或电路制造领域，用以避免高温致密电容介质层时对MOS管产生的不利影响。所述集成结构包括：衬底，位于所述衬底表面的阱，位于所述阱表面的场氧化层和栅氧化层，位于选定的场氧化层表面依次形成的双多晶电容下极板、第一介质层、第二介质层和双多晶电容的上极板；并且，在所述栅氧化层表面至少形成MOS管的多晶硅栅以及位于多晶硅栅两侧的侧墙，所述集成结构还包含MOS管的源漏区，其中，在开始制作所述侧墙及MOS管的源漏区之前，完成所述双多晶电容的第一介质层、第二介质层的制作。本发明适用于半导体集成器件或电路的制造。

主权项

一种双多晶电容和MOS管的集成结构的制造方法，其特征在于，包括：在衬底表面形成阱；在所述阱表面形成场氧化层，在所述场氧化层未覆盖的区域表面形成栅氧化层；在所述栅氧化层的表面至少形成MOS管的多晶硅栅，并在选定的场氧化层的表面形成双多晶电容的下极板，以及位于所述下极板表面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第二介质层；采用光刻、离子注入工艺形成轻掺杂源漏区，淀积与所述第一介质层相同的材料形成薄膜，并通过各向异性刻蚀所述薄膜至少形成位于所述多晶硅栅两侧的侧墙，再次采用光刻、离子注入工艺形成重掺杂源漏区，之后进行退火处理；在所述第二介质层的表面形成双多晶电容的上极板。