[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置。实施方式的第一半导体元件具有：第一半导体层；第二半导体层；与第二半导体层相邻的第三半导体层；从第二半导体层表面以及第三半导体层表面到内部而设置的第一绝缘层；选择性地设置于第二半导体层表面的第一基底区域；选择性地设置于第一基底区域表面的第一源区域；从第一绝缘层表面到内部而设置的第一栅电极；设置于第一基底区域下的、从第一半导体层表面延伸到第一基底区域侧的第一漂移层；和与第一源区域相对、夹着第一绝缘层而设置于第三半导体层表面的第一漏区域。第一漂移层所含的杂质元素的浓度比第一半导体层所含的杂质元素的浓度低，第一漂移层所含的杂质元素的浓度比第二半导体层所含的杂质元素的浓度高。

主权项

一种半导体装置，其具备半导体基板和设置于所述半导体基板上的第一半导体元件，其中，所述第一半导体元件具有：设置于所述半导体基板上的第一导电型的第一半导体层；设置于所述第一半导体层上的第一导电型的第二半导体层；设置于所述第一半导体层上的、与所述第二半导体层相邻的第一导电型的第三半导体层；从所述第二半导体层的表面以及所述第三半导体层的表面到各自的内部而设置的第一绝缘层；选择性地设置于所述第二半导体层的表面的第二导电型的第一基底区域；选择性地设置于所述第一基底区域的表面的第一导电型的第一源区域；从所述第一绝缘层的表面到内部而设置的、隔着所述第一绝缘层与所述第一基底区域相邻的第一栅电极；设置于所述第一基底区域下的所述第二半导体层内的、从所述第一半导体层的表面延伸到所述第一基底区域侧的第一导电型的第一漂移层；与所述第一源区域相对、夹着所述第一绝缘层而设置于所述第三半导体层的表面的第一导电型的第一漏区域；与所述第一源区域电连接的第一源电极；和与所述第一漏区域电连接的第一漏电极，所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度比所述第一半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度低，所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度比所述第二半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度高。