[发明专利]通孔侧壁形貌修饰方法有效
| 申请号： | 201210077037.5 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102610560A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄智林;严利均 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种通孔侧壁形貌修饰方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底内形成有通孔，所述通孔侧壁具有第一粗糙度；采用针对所述通孔侧壁的凸出部的氧化工艺对所述凸出部进行氧化；采用湿法刻蚀溶液对氧化后的硅衬底进行浴洗，形成具有第二粗糙度的所述通孔侧壁，且第二粗糙度小于第一粗糙度。本发明形成的通孔质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 形貌 修饰 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底内形成有通孔，所述通孔侧壁具有第一粗糙度；采用针对所述通孔侧壁的凸出部的氧化工艺对所述凸出部进行氧化；采用湿法刻蚀溶液对氧化后的硅衬底进行浴洗，形成具有第二粗糙度的所述通孔侧壁，且第二粗糙度小于第一粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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