[发明专利]半导体装置及基准电压生成电路有效
| 申请号： | 201210078261.6 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102683393A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吉野英生 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及基准电压生成电路。在设置于栅极绝缘膜(30)上的栅极电极(40)中，在P型半导体层(41)与P型半导体层(41)的下层(栅极绝缘膜(30))的接合面产生耗尽层(42)。温度变化时，栅极电极(40)内部的耗尽层(42)的区域变化，栅极电压对于沟道形成的影响变化，因而阈值电压与通常的MOS晶体管的情况相比也变化。利用这一点，以MOS晶体管具有期望的温度特性的方式进行控制，因而不需要温度修正电路，能够减小电路规模。从而提供能够通过具有期望的温度特性而减小电路规模的MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 基准 电压 生成 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型半导体衬底；源极区域及漏极区域，设置于所述半导体衬底的表面；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域上，所述栅极电极具备第二导电型半导体层与在所述第二导电型半导体层的下侧产生的耗尽层。
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