[发明专利]集成电路的连接件结构

摘要

本发明涉及一种集成电路的连接件结构，其中，一种管芯包括衬底、衬底之上的金属焊盘和覆盖金属焊盘的边缘部分的钝化层。金属柱形成在金属焊盘的上方。金属柱的一部分与金属焊盘的一部分重叠。金属柱的中心与金属焊盘的中心没有对准。 1

主权项

1.一种半导体器件，包括：

管芯，包括：

衬底；

第一金属焊盘，位于所述衬底的上方；

钝化层，覆盖所述第一金属焊盘的边缘部分；

聚合物层，位于所述钝化层上方；

第一金属柱，位于所述第一金属焊盘的上方，其中，所述第一金属柱的一部分与所述第一金属焊盘的一部分重叠，以及其中，所述第一金属柱的中心不与所述第一金属焊盘的中心对准；

金属层，形成在所述第一金属柱上并且所述金属层的边缘与所述第一金属柱的边缘对准；

焊料罩盖，形成在所述金属层上；

凸块底部金属化层(UBM)，与所述第一金属柱共末端，并且所述凸块底部金属化层的边缘与所述第一金属柱的相应边缘对准，其中所述凸块底部金属化层包括位于所述聚合物层上方的第一部分、以及延伸至所述聚合物层和所述钝化层中以与所述第一金属焊盘连接的第二部分；以及

封装部件，包括接合至所述焊料罩盖的附加金属焊盘，其中，所述附加金属焊盘的中心不与所述第一金属柱的中心对准。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相对于所述第一金属焊盘的中心，所述第一金属柱的中心偏离所述管芯的中心。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一金属焊盘和所述第一金属柱位于所述管芯的边缘区域中，其中，所述边缘区域与所述管芯的边缘相邻，以及其中，所述第一金属柱的中心在垂直于所述边缘的方向上偏移。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一金属焊盘和所述第一金属柱位于所述管芯的边角区域中，其中，所述边角区域与所述管芯的边角相邻，以及其中，所述第一金属柱的中心在与所述管芯的中心和所述边角之间的线平行的方向上偏移。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第二金属焊盘，位于所述衬底的上方；以及

第二金属柱，位于所述第二金属焊盘的上方，其中，所述第二金属柱的一部分与所述第二金属焊盘的一部分重叠，以及其中，所述第二金属柱的中心与所述第二金属焊盘的中心对准。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二金属焊盘和所述第二金属柱位于所述管芯的内部区域中，并且比所述第一金属焊盘和所述第一金属柱更加接近所述管芯的中心。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属焊盘和所述第一金属柱中的每一个都具有长轴和短于所述长轴的短轴。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸块底部金属化层位于所述第一金属焊盘和所述第一金属柱之间并接触所述第一金属焊盘和所述第一金属柱。

9.一种半导体器件，包括：

管芯，包括：

衬底；

第一金属焊盘，位于所述衬底的上方；

钝化层，覆盖所述第一金属焊盘的边缘部分；

聚合物层，位于所述钝化层上方；

第一金属柱，位于所述第一金属焊盘的上方并在所述钝化层的上方延伸，其中，所述第一金属柱和所述第一金属焊盘位于所述管芯的第一边角区域中；

第二金属焊盘，位于所述衬底的上方；

第二金属柱，位于所述第二金属焊盘的上方，其中，所述第二金属焊盘和所述第二金属柱位于所述管芯的第二边角区域中，其中，所述第一边角区域和所述第二边角区域位于所述管芯的中心的相对侧上，以及其中，从上向下观看所述管芯时，所述第一金属柱和所述第二金属柱的中心分别不与所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘的中心对准，并且分别相对于所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘的中心偏离所述管芯的中心；

金属层，形成在所述第一金属柱和所述第二金属柱上，并且所述金属层的边缘与所述第一金属柱和所述第二金属柱的边缘对准；

焊料罩盖，形成在所述金属层上；

封装组件，接合至所述第一金属柱和所述第二金属柱，其中，所述封装组件选自主要由器件管芯、插入件、封装衬底、和印刷电路板组成的组，其中，所述封装组件包括接合至所述焊料罩盖的附加金属焊盘，其中，所述附加金属焊盘的中心不与所述第一金属柱的中心对准；以及

凸块底部金属化层(UBM)，与所述第一金属柱共末端，并且所述凸块底部金属化层的边缘与所述第一金属柱的相应边缘对准，其中所述凸块底部金属化层包括位于所述聚合物层上方的第一部分、以及延伸至所述聚合物层和所述钝化层中以与所述第一金属焊盘连接的第二部分。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括：

第三金属焊盘，位于所述衬底的上方；

第三金属柱，位于所述第三金属焊盘的上方，其中，所述第三金属焊盘和所述第三金属柱位于所述管芯的第一边缘区域中；

第四金属焊盘，位于所述衬底的上方；以及

第四金属柱，位于所述第四金属焊盘的上方，其中，所述第四金属焊盘和所述第四金属柱位于所述管芯的第二边缘区域中，其中，所述第一边缘区域和所述第二边缘区域位于所述管芯的中心的相对侧上，以及其中，从上向下观看所述管芯时，所述第三金属柱和所述第四金属柱的中心分别不与所述第三金属焊盘和所述第四金属焊盘的中心对准。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一金属焊盘的中心和所述第一金属柱的中心之间的未对准在所述管芯的尺寸的0.01％至0.09％之间，其中，所述管芯的尺寸是在与所述第一金属柱的偏移方向平行的方向上测得的。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括：

第三金属焊盘，位于所述衬底的上方；以及

第三金属柱，位于所述第三金属焊盘的上方，其中，所述第三金属柱的一部分与所述第三金属焊盘的一部分重叠，其中，所述第三金属柱的中心与所述第三金属焊盘的中心对准，以及其中，所述第三金属焊盘和所述第三金属柱位于所述管芯的内部区域中，所述管芯的中心包括在所述内部区域中。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述凸块底部金属化层位于所述第一金属焊盘和所述第一金属柱之间并接触所述第一金属焊盘和所述第一金属柱。

14.一种半导体器件，包括：

管芯，包括第一边角、第二边角、第三边角、和第四边角，其中，所述管芯进一步包括：

衬底；

第一金属焊盘、第二金属焊盘、第三金属焊盘、和第四金属焊盘，位于所述衬底的上方，其中，所述第一金属焊盘、所述第二金属焊盘、所述第三金属焊盘、和所述第四金属焊盘比所述管芯中的任何其他金属焊盘更接近所述第一边角、所述第二边角、所述第三边角、和所述第四边角中的相