[发明专利]利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法在审
| 申请号： | 201210081753.0 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367256A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 江红;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L29/08;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，该方法制造分立栅极闪存器件的源极部分的过程中，对源极进行回刻蚀之后，紧接着在源极表面生长外延层，以增加源极的高度，然后再进行后续的制程。本发明解决了分立栅极闪存单元在制造过程中源极高度过低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 外延 增加 分立 栅极 闪存 单元 极高 方法 | ||
【主权项】：
一种利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，利用该方法制造分立栅极闪存器件的源极部分的过程包含如下步骤：步骤1、沉积源极多晶硅（101）；步骤2、对源极多晶硅（101）进行回刻蚀；步骤3、移除SiN层（106）； 步骤4、对浮栅（102）进行刻蚀；其特征在于，该方法在步骤2和步骤3之间还包含以下步骤：步骤2.1、在源极多晶硅（101）上生长外延层（107），以增加源极（101）的高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210081753.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电信系统中的方法和设备
- 下一篇：齿轮传动夹具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
