[发明专利]半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法有效
申请号: | 201210082180.3 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN102693925A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 山本宏明;渡边信幸;近江晋 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吕晓章 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针,将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值,例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此,能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 温度 特性 检查 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体发光元件的温度特性检查装置,包括:电流施加部,对半导体发光元件施加正向电流;电压检测部,通过所述电流施加部对所述半导体发光元件连续施加所述正向电流,并检测第一正向电压和在所述第一正向电压之后的时刻的第二正向电压;以及判定部,基于所述第一正向电压和所述第二正向电压判定所述半导体发光元件的好坏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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