[发明专利]半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法有效

专利信息
申请号: 201210082180.3 申请日: 2012-03-26
公开(公告)号: CN102693925A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 山本宏明;渡边信幸;近江晋 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吕晓章
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针,将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值,例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此,能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 温度 特性 检查 装置 方法
【主权项】:
一种半导体发光元件的温度特性检查装置,包括:电流施加部,对半导体发光元件施加正向电流;电压检测部,通过所述电流施加部对所述半导体发光元件连续施加所述正向电流,并检测第一正向电压和在所述第一正向电压之后的时刻的第二正向电压;以及判定部,基于所述第一正向电压和所述第二正向电压判定所述半导体发光元件的好坏。
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