[发明专利]用于将现有硅管芯结合到3D集成叠置体中的方法有效
| 申请号： | 201210082226.1 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102610596A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | P·里德;B·布莱克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于将现有硅管芯结合到3D集成叠置体中的方法。一种设备，包括第一管芯，第一管芯包括多个导电穿衬底通孔(TSV)；以及多个第二管芯，每个所述第二管芯包括多个耦合到所述第一管芯的TSV的触点，所述多个第二管芯被设置成总体上包括近似等于所述第一管芯的表面面积的表面面积。一种方法，包括在第一管芯上设置多个第二管芯，使得所述多个第二管芯总体上包括近似等于所述第一管芯的表面面积的表面面积；以及将多个第二器件电耦合到多个第一管芯。一种系统包括电子设备，该电子设备包括印刷电路板和模块，该模块包括第一管芯，该第一管芯包括多个TSV；以及设置所述多个第二管芯，以总体上包括近似等于第一管芯的表面面积的表面面积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 现有 管芯 结合 集成 叠置体 中的 方法 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：第一管芯，其包括器件侧和背侧以及从所述器件侧延伸到所述背侧的多个导电穿衬底通孔；以及多个第二管芯，每个所述第二管芯包括耦合到所述第一管芯的所述穿衬底通孔的多个触点，所述多个第二管芯中的每个第二管芯都设置于所述第一管芯的表面面积的一部分上。
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