[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体集成电路器件的制造方法。提供一种半导体集成电路的制造方法，其在应用到用于栅极电极等的加工技术时有效。在存储器区域中对具有高k栅极绝缘膜和金属电极膜的栅极叠置膜进行构图时，首先使用第一抗蚀剂膜执行用于相邻栅极电极之间的切割区域的刻蚀，并且在去除不再需要的第一抗蚀剂膜之后，使用第二抗蚀剂膜执行用于线和空间图案的刻蚀。

主权项

一种制造半导体集成电路器件的方法，包括以下步骤：(a)提供具有第一主表面和第二主表面的半导体晶片，其中所述第一主表面具有多个芯片区域，所述芯片区域包括存储器区域和非存储器区域；(b)在所述半导体晶片的第一主表面之上形成栅极叠置膜，所述栅极叠置膜具有下层高k栅极绝缘膜和上层栅极金属电极膜；(c)在所述栅极叠置膜之上形成第一抗蚀剂膜，所述第一抗蚀剂膜用于限定在所述存储器区域中的栅极电极的延伸方向上的相邻栅极电极之间的切割区域；(d)执行对所述第一抗蚀剂膜的构图，以形成与相邻栅极电极之间的所述切割区域对应的抗蚀剂膜开口；(e)在存在已构图的第一抗蚀剂膜的情况下，执行对所述栅极叠置膜的刻蚀；(f)在所述步骤(e)之后，去除所述第一抗蚀剂膜；(g)在所述步骤(f)之后，在所述半导体晶片的第一主表面之上，形成第二抗蚀剂膜，所述第二抗蚀剂膜用于限定与所述存储器区域中的栅极电极对应的线和空间图案；(h)执行对所述第二抗蚀剂膜的构图；(i)在存在已构图的第二抗蚀剂膜的情况下，执行对所述栅极叠置膜的刻蚀；以及(j)在所述步骤(i)之后，去除所述第二抗蚀剂膜。