[发明专利]绝缘体上半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201210084498.5 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367392A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;赵超;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的一个方面，提供一种绝缘体上半导体结构，包括：衬底(100)；晶体介质层(101)，其形成于所述衬底上；晶体器件层(102)，其形成于所述晶体介质层(101)上。相应地，本发明还提供了一种绝缘体上半导体的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底(100)；在所述衬底(100)上形成晶体介质层(101)；在所述晶体介质层(101)上形成晶体器件层(102)。本发明使用体衬底或者SOI衬底作为基底，之后形成晶体介质层和晶体器件层，节约了材料，降低了成本；且本发明中的晶体介质层直接形成于衬底表面，可以减小晶体介质层的缺陷，提高SOI的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上半导体结构，包括：衬底(100)；晶体介质层(101)，其形成于所述衬底(100)上；晶体器件层(102)，其形成于所述晶体介质层(101)上。
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