[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置有效
| 申请号： | 201210086440.4 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102737653A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 入泽寿和;桥本笃志 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;C23C14/00;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，能够进行进一步的高记录密度化的磁记录介质的制造方法。所述磁记录介质的制造方法是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上方的层的取向性的取向控制层(11)、易磁化轴相对于非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其中，在以由2层以上的磁性层构成上述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成取向控制层(11)的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成取向控制层(11)，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层(11)而使CoCr合金中掺杂3～15原子％的范围的氮。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上面的层的取向性的取向控制层、易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在以由两层以上的磁性层构成所述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成所述取向控制层的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成所述取向控制层，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层而使所述CoCr合金中掺杂3～15原子％的范围的氮。
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