[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210088153.7 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367394A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 尹海州;蒋葳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件，包括：在衬底上的第一外延层；在第一外延层上的第二外延层，在第二外延层的有源区中形成MOSFET；反T型的STI，形成在第一外延层和第二外延层中，并且包围有源区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，选择性刻蚀双层外延层从而形成反T型的STI，有效减少器件泄漏电流而同时又不会缩小有源区面积，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在衬底上的第一外延层；在第一外延层上的第二外延层，在第二外延层的有源区中形成MOSFET；反T型的STI，形成在第一外延层和第二外延层中，并且包围有源区。
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