[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210088189.5 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367148A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其制造方法，制造方法包括：提供半导体基底，半导体基底包括衬底，形成衬底中的掺杂区，覆盖于掺杂区上的层间介质层；图形化层间介质层，形成露出掺杂区的凹槽；在凹槽的底部和侧壁上沉积介电常数小于掺杂区介电常数的第一材料，形成保型覆盖凹槽的第一中间层；在凹槽中形成金属插塞。晶体管包括：衬底；形成于衬底上的栅极结构；形成于栅极结构两侧衬底中的掺杂区；覆盖于栅极结构和掺杂区上的层间介质层；形成于层间介质层中露出掺杂区的凹槽；覆盖于凹槽底部和侧壁上的第一中间层，第一中间层的介电常数小于掺杂区的介电常数；填充于凹槽中的金属插塞。本发明可以降低掺杂区和金属插塞之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底，形成于衬底上的栅极结构，形成于栅极结构两侧衬底中的掺杂区，覆盖于所述栅极结构和掺杂区上的层间介质层；图形化所述层间介质层，形成露出所述掺杂区的凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁上沉积介电常数小于掺杂区介电常数的第一材料，形成保型覆盖所述凹槽的第一中间层；在所述凹槽中形成金属插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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