[发明专利]超陡倒掺杂沟道的形成方法、半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210088756.7 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367128A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 徐秋霞;梁擎擎;吴昊;许高博;周华杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种形成超陡倒掺杂沟道的方法、包括超陡倒掺杂沟道的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成掩模，该掩模暴露对应于半导体器件的沟道区和源/漏延伸区的半导体衬底区域；采用掩模执行第一次离子注入，在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类型相同的第一离子；以及采用掩模执行第二次离子注入，在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类型相同的第二离子，其中第一次离子注入和第二次离子注入形成的注入区部分叠加形成超陡倒掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 超陡倒 掺杂 沟道 形成 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种形成超陡倒掺杂沟道的方法，包括：形成掩模，该掩模暴露对应于半导体器件的沟道区和源/漏延伸区的半导体衬底区域；采用掩模执行第一次离子注入，在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类型相同的第一离子；以及采用掩模执行第二次离子注入，在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类型相同的第二离子，其中第一次离子注入和第二次离子注入形成的注入区部分叠加形成超陡倒掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210088756.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
