[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201210088834.3 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102629611A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 童晓阳;曹占锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 韩国胜;王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括基板和多个像素单元,像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层、栅极绝缘层和栅电极,源电极和漏电极在基板上相对设置并形成薄膜晶体管的沟道;有源层位于源/漏电极以及沟道的上方;栅极绝缘层和栅电极依次设置在有源层的上方;像素电极位于像素单元中薄膜晶体管之外的区域并延伸至漏电极的上方与漏电极搭接。本发明提供的阵列基板,有源层位于源/漏电极的上方,可有效避免在形成源/漏电极过程中对有源层造成破坏。并且,当有源层为金属氧化物时,可省去阻挡层,进而简化工艺流程,提高生产效率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示装置 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括基板和位于所述基板上的多个像素单元,每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,其特征在于,所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层、栅极绝缘层和栅电极,其中,所述源电极和漏电极在所述基板上相对设置并形成薄膜晶体管的沟道;所述有源层位于所述源电极、漏电极以及沟道的上方;所述栅极绝缘层和栅电极依次设置在所述有源层的上方;所述像素电极位于像素单元中薄膜晶体管之外的区域并延伸至所述漏电极的上方与所述漏电极搭接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210088834.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可自动调整角度的扫描枪
- 下一篇:一种易维护的卡扣式机箱风扇
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的