[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201210088843.2 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102683593A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 张学辉;薛建设;刘翔 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法,包括以下步骤:通过构图工艺分别形成包括栅电极、栅线、绝缘层、有机半导体层、阻挡层、源电极、漏电极以及数据线的图形,其中,所述有机半导体层和阻挡层的图形通过一次构图工艺形成。本发明所述有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法与现有技术相比,能够进一步减少构图工艺次数,即只需采用四次构图工艺,因而提高了生产效率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法,包括以下步骤:通过构图工艺分别形成包括栅电极、栅线、绝缘层、有机半导体层、阻挡层、源电极、漏电极以及数据线的图形,其特征在于,所述有机半导体层和阻挡层的图形通过一次构图工艺形成。
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