[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201210094046.5 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN102629608A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 徐传祥;薛建设;孙雯雯 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置,所示阵列基板包括基板,以及在所述基板上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层,所述薄膜晶体管中的栅极和源极分别与所述扫描线和数据线连接,所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接,其中,所述阵列基板还包括:黑矩阵,所述黑矩阵与所述薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置。本发明通过将黑矩阵设置在阵列基板上,并将黑矩阵与薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置,避免了设置在彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、数据线和扫描线之间发生的偏离,解决了由于上述偏离造成的漏光现象,同时也有利于降低黑矩阵的面积,增大显示面板的开口率,提高显示面板的亮度。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括基板,以及在所述基板上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层,所述薄膜晶体管的栅极和源极分别与所述扫描线和数据线连接,所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接,其特征在于,所述阵列基板还包括:黑矩阵,所述黑矩阵与所述薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的