[发明专利]一种氮化硅坩埚及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210098273.5 申请日: 2012-04-01
公开(公告)号: CN103360077A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 郑志东;王先进;尹慧 申请(专利权)人: 浙江昱辉阳光能源有限公司
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622;C04B35/63
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 314117 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种氮化硅坩埚的制备方法,包括以下步骤:将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型,得到坩埚生胚;将由二氧化硅粉和无水乙醇组成的浆料喷涂于坩埚生胚的内壁和外壁,干燥后得到内壁和外壁均喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚;将喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚进行气压烧结,得到坩埚熟坯;将坩埚熟坯的内壁的二氧化硅涂层去除,得到氮化硅坩埚。该制备方法制得的氮化硅坩埚含有较少的碳、氧等杂质,使用其制备硅晶能够显著降低硅晶中碳、氧等杂质的含量,提升硅晶的品质,利于其应用。本发明还提供了一种氮化硅坩埚,其外壁喷涂有二氧化硅涂层。
搜索关键词: 一种 氮化 坩埚 及其 制备 方法
【主权项】:
一种氮化硅坩埚的制备方法,包括以下步骤:a)将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型,得到坩埚生胚;b)将由二氧化硅粉和无水乙醇组成的浆料喷涂于所述步骤a)得到的坩埚生胚的内壁和外壁,干燥后得到内壁和外壁均喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚;c)将所述步骤b)得到的坩埚生胚进行气压烧结,得到坩埚熟坯;d)将所述步骤c)得到的坩埚熟坯的内壁的二氧化硅涂层去除,得到氮化硅坩埚。
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