[发明专利]Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法

摘要

本发明公开了一种Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法，步骤如下：1)切取Hi-B取向硅钢试样，在试样上标示出晶界线，并编号；2)将试样拍摄成照片，测量出照片中每个编号晶粒的面积Sn和照片中整个试样的面积Sz；3)测量出编号晶粒的取向，计算m值；4)查得标样的B001，计算出每个编号晶粒的Buvw；5)将每个编号晶粒的面积Sn除以整个试样的面积Sz所得值Si作为权重，再分别乘以相应晶粒的Buvw，记为Bi，所有编号晶粒的Bi之和，即为该试样的磁感应强度B。用本发明所测量的磁感应强度是由整个试样的织构信息所决定，更具有合理性和科学性，为Hi-B取向硅钢的研究提供理论依据。

主权项

一种Hi‑B取向硅钢磁感应强度的测量方法，包括以下步骤：1)切取Hi‑B取向硅钢试样，在试样上标示出晶界线，并将由晶界线所围成的各个晶粒进行编号，编为1、2……n；2)将试样拍摄成照片，采用图像分析仪测量出照片中每个编号晶粒的面积Sn，其中n＝1、2……n，同时测量出照片中整个试样的面积Sz；3)采用电子背散射衍射分别测量出编号晶粒的沿轧制方向的取向，再由公式m＝α2β2+β2γ2+γ2α2计算出编号晶粒的方向的m值，公式中的α、β和γ分别是该方向与三个主晶轴<001>的方向余弦；4)查得标样的B001，并由公式Buvw＝B001(1‑m)计算出每个编号晶粒的Buvw；5)将所测量的每个编号晶粒的面积Sn除以整个试样的面积Sz所得值Si作为权重，再分别乘以相应晶粒的Buvw，其值为该晶粒对整个试样的磁感应强度贡献，记为Bi＝Si×Buvw，所有编号晶粒的Bi之和，即为该试样的磁感应强度B。