[发明专利]一种TFT阵列基板像素点修复制造方法无效
| 申请号： | 201210101988.1 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623401A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈龙龙;李喜峰;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT阵列基板像素点修复制造工艺，对己经制作完成的存在点缺陷的TFT阵列基板像素进行单点修复，首先对TFT阵列基板点缺陷处位置精确定位，再采用激光切割方式将存在点缺陷像素切割且移除，再将采用微机械加工工艺制作完成的单个TFT点像素填补至此位置并定位精确，再采用电气层自组装方式将各层膜层分别连接起来，完成此TFT点像素与TFT阵列基板电气性能的连接。采用本发明的方法，可以使存在缺陷的样品再利用，大大提高工业生产的良率，降低生产制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 像素 修复 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板像素点修复制造方法，其特征在于，TFT阵列基板像素点修复分为两个步骤：①首先是转移用TFT点像素制造及准备工艺制备TFT点像素(20)，②其次是对TFT阵列基板TFT缺陷点进行修复。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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