[发明专利]用于ESD的垂直BJT和SCR

摘要

本发明提供了一种静电放电(ESD)保护器件。该ESD包括由具有第一掺杂类型的半导体材料形成的阱区和由具有第二掺杂类型的半导体材料形成的浮置基极。该浮置基极垂直设置在阱区的上方。该ESD还包括由具有第三掺杂类型的半导体材料形成的第一终端接收区。该第一终端接收区垂直设置在浮置基极的上方。ESD还包括第二终端接收区。该第二终端接收区通过浅沟槽隔离(STI)区与第一终端接收区水平横向间隔分开。在一些实施例中，第二终端接收区由具有第三掺杂类型的半导体材料形成以形成双极结型晶体管(BJT)。在一些实施例中，第二终端接收区由具有第四掺杂类型的半导体材料形成以形成硅可控整流器(SCR)。本发明提供了用于ESD的垂直BJT和SCR。

主权项

一种静电放电(ESD)保护器件，包括：阱区，由具有第一掺杂类型的半导体材料形成；浮置基极，由具有第二掺杂类型的半导体材料形成，所述浮置基极垂直设置在所述阱区的上方；第一终端接收区，由具有第三掺杂类型的半导体材料形成，所述第一终端接收区垂直设置在所述浮置基极的上方；以及第二终端接收区，由具有第三掺杂类型的半导体材料形成，所述第二终端接收区通过浅沟槽隔离(STI)区与所述第一终端接收区横向间隔分开以形成双极结型晶体管(BJT)。