[发明专利]芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法无效
| 申请号： | 201210105274.8 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102645359A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 汪红;张颖;丁桂甫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法，步骤：在基片上甩光刻胶、溅射Cr/Cu种子层；在种子层上依次甩光刻胶、曝光、显影，完成铜层光刻胶的图形化，在图形化的Cr/Cu种子层上电镀铜层；在铜层表面，依次进行甩光刻胶、曝光、显影，完成锡层光刻胶的图形化，在图形化的Cr/Cu种子层上电镀锡层；去除图形化的光刻胶，将铜层和锡层进行平坦化加工，实现两种金属的表面齐平；去光刻胶牺牲层，完成试样的释放；最后通过回流得到铜锡界面合金共化物。本发明工艺简单，成本低，试样尺寸符合实际的芯片间高密度三维互连的尺寸要求，且铜锡含量可控，便于表征不同厚度、不同铜锡含量时铜锡界面合金共化物的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 互连 界面 合金 共化物微 拉伸 试样 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片互连用铜‑锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在玻璃基片上，甩光刻胶，并在其上溅射Cr/Cu种子层；第二步，在Cr/Cu种子层上，依次进行甩光刻胶、曝光、显影处理，根据掩膜版的设计形状完成铜层光刻胶的图形化；在图形化的Cr/Cu种子层上，电镀出铜薄膜层；第三步，在电镀的铜层表面，依次进行甩光刻胶、曝光、显影处理，根据掩膜版的设计形状完成锡层光刻胶的图形化；在图形化的Cr/Cu种子层上，电镀出锡薄膜层；第四步，去除图形化的光刻胶，然后以平面加工技术，将上述的铜层和锡层进行平坦化加工，实现锡层和铜层的表面齐平；第五步，最后去除Cr/Cu种子层并用丙酮去除用于牺牲层的光刻胶，完成试样的释放，并通过回流，得到铜锡界面合金共化物。
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