[发明专利]垂直沟道晶体管有效
| 申请号： | 201210107533.0 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378127A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直沟道晶体管，包括基底，包括至少一对相对设置的第一凹槽和第二凹槽；一埋入式位线，设置于第一凹槽的底部；第一源/漏极区，电连接于埋入式位线；第二源/漏极区，紧邻第一凹槽的顶部；一绝缘栅极导线，埋入第二凹槽的底部；一外延层，设置于第二凹槽内且紧邻于绝缘栅极导线；一扩散区，相对于外延层而设置，其中外延层和扩散区间夹有第一绝缘层；前栅极，位于基底的第一侧面上；及后栅极，位于基底相对于第一侧面的第二侧面上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 沟道 晶体管 | ||
【主权项】：
一种垂直沟道晶体管，其特征在于，包括：基底，包括至少一对相对设置的第一凹槽和第二凹槽；埋入式位线，设置于所述第一凹槽的底部；第一源/漏极区，电连接于所述埋入式位线；第二源/漏极区，紧邻所述第一凹槽的顶部；绝缘栅极导线，埋入所述第二凹槽的底部；半导体层，设置于所述第二凹槽内并且紧邻于所述绝缘栅极导线；相对于外延层而设置的扩散区，其中所述外延层和所述扩散区间夹有第一绝缘层；前栅极，位于所述基底的第一侧面上；及后栅极，位于所述基底相对于所述第一侧面的第二侧面上。
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